Тип памяти | DDR4 |
Пропускная способность | 21300 МБ/с |
Объём | 1 модуль 4 ГБ |
Форм-фактор | DIMM 288-контактный |
Тактовая частота | 2666 МГц |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Количество ранков | 1 |
Поддержка XMP | нет |
CAS Latency (CL) | 19 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 19 |
Row Precharge Delay (tRP) | 19 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 32 |
Количество чипов каждого модуля | 4, односторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.2 В |
Видео обзоры пока не добавлены
Ищете отрицательные и положительные отзывы про Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Hynix HMA851U6CJR6N-VK?
У нас владельцы рассказывают о достоинствах и недостатках этой модели. Все плюсы и минусы рассмотрены в отзывах реальных покупателей Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Hynix HMA851U6CJR6N-VK, чтобы вы смогли принять взвешенное решение. Также мы привествуем мнения экспертов, не скрываем негативные отзывы, и даем возможность любому пользователю, оставить свой отзыв и повлиять на рейтинг.