1 модуль памяти DDR2
объем модуля 512 МБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 533 МГц
CAS Latency (CL): 4

Тип памяти	DDR2
Пропускная способность	4200 МБ/с
Объём	1 модуль 512 МБ
Форм-фактор	SODIMM 200-контактный
Тактовая частота	533 МГц
Поддержка ECC	нет
Буферизованная (Registered)	нет
Низкопрофильная (Low Profile)	нет
Количество ранков	1
CAS Latency (CL)	4
RAS to CAS Delay (tRCD)	4
Row Precharge Delay (tRP)	4
Количество чипов каждого модуля	4, односторонняя упаковка
Напряжение питания	1.8 В

Видео обзоры пока не добавлены

Ищете отрицательные и положительные отзывы про Оперативная память 512 МБ 1 шт. Hynix DDR2 533 SO-DIMM 512Mb?
У нас владельцы рассказывают о достоинствах и недостатках этой модели. Все плюсы и минусы рассмотрены в отзывах реальных покупателей Оперативная память 512 МБ 1 шт. Hynix DDR2 533 SO-DIMM 512Mb, чтобы вы смогли принять взвешенное решение. Также мы привествуем мнения экспертов, не скрываем негативные отзывы, и даем возможность любому пользователю, оставить свой отзыв и повлиять на рейтинг.