1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2666 МГц
радиатор
CAS Latency (CL): 16

Достоинства

Без проблем завелась в двухканальном режиме (брал 2 планки) на 2400 МГц (i5-7500, чипсет B250). XMP профиль только на 2666 МГц. Вроде есть возможность разгона с повышением напряжения

Недостатки

Придраться не к чему. Если по мелочи. Для любителей наклеек и макулатуры - здесь их нет.

Комментарий

Планки попались с чипами Nanya

25.07.2019,Аноним

Тип памяти	DDR4
Форм-фактор	DIMM 288-контактный
Тактовая частота	2666 МГц
Пропускная способность	21300 МБ/с
Объем	1 модуль 8 ГБ
Поддержка ECC	нет
Буферизованная (Registered)	нет
Низкопрофильная (Low Profile)	нет
CAS Latency (CL)	16
RAS to CAS Delay (tRCD)	18
Row Precharge Delay (tRP)	18
Напряжение питания	1.2 В
Радиатор	есть
Количество ранков	1
Количество чипов каждого модуля	8, односторонняя упаковка
Activate to Precharge Delay (tRAS)	35

Видео обзоры пока не добавлены

Ищете отрицательные и положительные отзывы про Оперативная память GoodRAM IR-X2666D464L16S/8G?
У нас владельцы рассказывают о достоинствах и недостатках этой модели. Все плюсы и минусы рассмотрены в отзывах реальных покупателей GoodRAM IR-X2666D464L16S/8G, чтобы вы смогли принять взвешенное решение. Также мы привествуем мнения экспертов, не скрываем негативные отзывы, и даем возможность любому пользователю, оставить свой отзыв и повлиять на рейтинг.