Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb (M471B5273CH0-CK0) - отзывы
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1600 МГц
- CAS Latency (CL): 11
1
0
0
0
0
Отзывы про Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb (M471B5273CH0-CK0)
Достоинства
Заменяемость на 1600 и 1333мгц
Комментарий
Хорошая планка на чипах от Самсунга, не знаю, кто и зачем минусит, Вы еще адату или корсаир или с али за 800р посоветуйте планки
Технические характеристики
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
| Тактовая частота | 1600 МГц |
| Пропускная способность | 12800 МБ/с |
| Объем | 1 модуль 4 ГБ |
| Поддержка ECC | нет |
| Поддержка XMP | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| CAS Latency (CL) | 11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.5 В |
| Количество ранков | 2 |
Видео обзоры
Видео обзоры пока не добавлены
Ищете отрицательные и положительные отзывы про Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb (M471B5273CH0-CK0)?
У нас владельцы рассказывают о достоинствах и недостатках этой модели. Все плюсы и минусы рассмотрены в отзывах реальных покупателей Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb (M471B5273CH0-CK0), чтобы вы смогли принять взвешенное решение. Также мы привествуем мнения экспертов, не скрываем негативные отзывы, и даем возможность любому пользователю, оставить свой отзыв и повлиять на рейтинг.
Последние комментарии
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43CB1-CTD
3 009
Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Samsung M471A5244CB0-CTD
1 502
Samsung DDR4 2400 DIMM 8Gb
Samsung DDR4 2666 DIMM 8Gb
3 120
Samsung DDR4 2666 DIMM 4Gb
Samsung DDR4 2400 DIMM 4Gb
Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb (M471B5273CH0-CK0)
Samsung DDR3 1333 SO-DIMM 4Gb
1 770
Samsung DDR2 800 DIMM 2Gb
Samsung DDR4 2133 DIMM 16Gb
Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 32Gb
Samsung DDR4 2666 DIMM 16Gb
5 902